济南港华燃气双组活动全面推开

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特别地，活动在初始ZnSe壳的生长过程中添加氢氟酸，原位蚀刻掉氧化InP核表面，然后在340℃下实现高温ZnSe的生长。【图文导读】图1 不同形貌和壳厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点图2InP基的QD-LED的性能图3QD-1、全面QD-2和QD-3R的光学特性图4配体交换QD的QD-LED文献链接：全面HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes（Nature，2019，DOI:10.1038/s41586-019-1771-5）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。

【引言】QD-LEDs作为下一代显示器，推开已通过优化QDs的梯度核/壳结构和采用具有电子空穴阻挡层的无机电子传输层，推开使得QD-LEDs的外部量子效率（EQE）可以提高到理论最大值（20.5％）。济南这些已准备好的InP基QD-LED将很快在商业显示器中使用。